P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD2955-1G

RS tilauskoodi: 780-0517Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTD2955-1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

55 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.35mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 9,53

€ 0,953 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 11,96

€ 1,196 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD2955-1G
Valitse pakkaustyyppi

€ 9,53

€ 0,953 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 11,96

€ 1,196 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD2955-1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,953€ 9,53
100 - 240€ 0,927€ 9,27
250 - 990€ 0,90€ 9,00
1000+€ 0,88€ 8,80

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

55 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.35mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja