N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD5865NLT4G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,45
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,798
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 1,45
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,798
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,45 | € 7,25 |
| 25 - 120 | € 0,962 | € 4,81 |
| 125 - 620 | € 0,668 | € 3,34 |
| 625 - 1245 | € 0,611 | € 3,06 |
| 1250+ | € 0,595 | € 2,98 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.