N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD5867NLG

RS tilauskoodi: 719-2901Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTD5867NLT4G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.38mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,868

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,076

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD5867NLG
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,868

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,076

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD5867NLG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 0,868€ 4,34
50 - 120€ 0,712€ 3,56
125 - 245€ 0,694€ 3,47
250 - 495€ 0,656€ 3,28
500+€ 0,61€ 3,05

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.38mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja