N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD5867NLG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,884
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,096
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
€ 0,884
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,096
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,884 | € 4,42 |
| 50 - 120 | € 0,725 | € 3,62 |
| 125 - 245 | € 0,707 | € 3,54 |
| 250 - 495 | € 0,668 | € 3,34 |
| 500+ | € 0,621 | € 3,10 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.