N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 onsemi NTE4153NT1G

RS tilauskoodi: 184-1063Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTE4153NT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

915 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

950 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±6 V

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.82 nC @ 4.5 V

Width

0.95mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

0.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,064

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,079

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 onsemi NTE4153NT1G

€ 0,064

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,079

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 onsemi NTE4153NT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

915 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

950 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±6 V

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.82 nC @ 4.5 V

Width

0.95mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

0.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja