onsemi P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF2955T1G

RS tilauskoodi: 688-9130PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTF2955T1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

185 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

14.3 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Height

1.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 24,00

€ 1,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 30,12

€ 1,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF2955T1G
Valitse pakkaustyyppi

€ 24,00

€ 1,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 30,12

€ 1,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF2955T1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
20 - 198€ 1,20€ 2,40
200+€ 1,05€ 2,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

185 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

14.3 nC @ 10 V

Width

3.5mm

Height

1.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja