N-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V, 8-Pin ChipFET onsemi NTHD4508NG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.6 nC @ 4.5 V
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,192
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,238
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,192
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,238
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.6 nC @ 4.5 V
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.