Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PG

RS tilauskoodi: 780-0611Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTJD4152PT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

880 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,413

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,512

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PG
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,413

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,512

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 50€ 0,413€ 10,32
75 - 125€ 0,284€ 7,10
150 - 275€ 0,178€ 4,45
300 - 575€ 0,169€ 4,22
600+€ 0,164€ 4,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

880 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja