Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 28,60
€ 0,286 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 35,89
€ 0,359 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
100
€ 28,60
€ 0,286 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 35,89
€ 0,359 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
100
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,286 | € 7,15 |
250 - 475 | € 0,247 | € 6,18 |
500 - 975 | € 0,218 | € 5,45 |
1000+ | € 0,198 | € 4,95 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot