onsemi Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G

RS tilauskoodi: 780-0611PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTJD4152PT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

880 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 28,60

€ 0,286 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 35,89

€ 0,359 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G
Valitse pakkaustyyppi

€ 28,60

€ 0,286 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 35,89

€ 0,359 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 225€ 0,286€ 7,15
250 - 475€ 0,247€ 6,18
500 - 975€ 0,218€ 5,45
1000+€ 0,198€ 4,95

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

880 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja