Dual N-Channel MOSFET, 910 mA, 20 V, 6-Pin SC-88 onsemi NTJD4401NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
910 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-88
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 4.5 V
Length
2.2mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,099
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,123
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,099
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,123
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
910 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-88
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 4.5 V
Length
2.2mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.