Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN onsemi NTLJD3119CTBG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A, 4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
WDFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ, 200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.7 nC @ 4.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Width
2mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.75mm
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,727
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,901
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 0,727
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,901
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,727 | € 7,27 |
| 100 - 490 | € 0,511 | € 5,11 |
| 500 - 990 | € 0,443 | € 4,43 |
| 1000 - 2990 | € 0,377 | € 3,77 |
| 3000+ | € 0,354 | € 3,54 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A, 4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
WDFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ, 200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.7 nC @ 4.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Width
2mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.75mm
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.