onsemi N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS5C646NLT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 107,50
€ 2,15 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 134,91
€ 2,698 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
€ 107,50
€ 2,15 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 134,91
€ 2,698 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 2,15 | € 10,75 |
| 100 - 495 | € 1,85 | € 9,25 |
| 500 - 995 | € 1,65 | € 8,25 |
| 1000+ | € 1,50 | € 7,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.