onsemi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 5-Pin DFN NTMFS5C673NLT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 129,60
€ 0,648 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 162,65
€ 0,813 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
200
€ 129,60
€ 0,648 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 162,65
€ 0,813 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
200
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,648 | € 12,96 |
| 500+ | € 0,563 | € 11,26 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.