onsemi N-Channel MOSFET, 71 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS5D3N04CTWG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
71 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
5.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.25mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.15mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 35,00
€ 1,40 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 43,92
€ 1,757 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
€ 35,00
€ 1,40 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 43,92
€ 1,757 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 1,40 | € 35,00 |
| 100 - 225 | € 1,20 | € 30,00 |
| 250+ | € 1,05 | € 26,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
71 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
LFPAK, SOT-669
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
5.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.25mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.15mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.