P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP2955G

RS tilauskoodi: 780-4736Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTP2955G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

196 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.28mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Width

4.82mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

9.28mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,983

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,234

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP2955G
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,983

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,234

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP2955G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 5€ 0,983€ 4,92
10 - 95€ 0,835€ 4,18
100 - 245€ 0,629€ 3,14
250 - 495€ 0,619€ 3,10
500+€ 0,534€ 2,67

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

196 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.28mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Width

4.82mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

9.28mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja