N-Channel MOSFET, 63 A, 60 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP5864NG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.28mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Width
15.75mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.82mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,976
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 1,21
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
20
€ 0,976
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 1,21
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
20
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,976 | € 19,52 |
| 100 - 240 | € 0,732 | € 14,64 |
| 260 - 480 | € 0,711 | € 14,22 |
| 500 - 980 | € 0,621 | € 12,42 |
| 1000+ | € 0,504 | € 10,08 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
12.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.28mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Width
15.75mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.82mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.