onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-220F NTPF360N80S3Z

RS tilauskoodi: 205-2505Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTPF360N80S3Z
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

SuperFET III

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1 900,00

€ 1,90 1 kpl (1000 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2 384,50

€ 2,384 1 kpl (1000 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-220F NTPF360N80S3Z

€ 1 900,00

€ 1,90 1 kpl (1000 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2 384,50

€ 2,384 1 kpl (1000 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-220F NTPF360N80S3Z
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

SuperFET III

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja