P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02G

RS tilauskoodi: 688-9143Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTR1P02T1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.5 nC @ 5 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.94mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,358

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,444

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02G
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,358

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,444

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 98€ 0,358€ 0,72
100 - 198€ 0,345€ 0,69
200 - 498€ 0,281€ 0,56
500 - 998€ 0,268€ 0,54
1000+€ 0,249€ 0,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.3mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.5 nC @ 5 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.94mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja