N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4003NG

RS tilauskoodi: 790-5283Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTR4003NT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

560 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

690 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.15 nC @ 5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.01mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,108

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,134

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4003NG
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,108

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,134

1 kpl (100 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 560 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4003NG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
100 - 400€ 0,108€ 10,80
500 - 900€ 0,103€ 10,30
1000+€ 0,073€ 7,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

560 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

690 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.15 nC @ 5 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.01mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja