onsemi P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4171PT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 8,35
€ 0,334 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,48
€ 0,419 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
€ 8,35
€ 0,334 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,48
€ 0,419 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.