N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4501NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,421
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,522
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 0,421
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,522
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 58 | € 0,421 | € 0,84 |
| 60 - 118 | € 0,396 | € 0,79 |
| 120 - 198 | € 0,338 | € 0,68 |
| 200 - 498 | € 0,319 | € 0,64 |
| 500+ | € 0,307 | € 0,61 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.