P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4502PG

RS tilauskoodi: 773-7897Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTR4502PT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,226

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,28

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4502PG
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,226

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,28

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4502PG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 240€ 0,226€ 2,26
250+€ 0,192€ 1,92

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja