onsemi N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4503NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,88
€ 0,275 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 8,63
€ 0,345 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
€ 6,88
€ 0,275 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 8,63
€ 0,345 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.