Dual N/P-Channel MOSFET, 250 mA, 280 mA, 20 V, 6-Pin SOT-963 ON Semiconductor NTUD3169CZT5G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA, 280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-963
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω, 10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.4mm
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,238
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,295
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
25
€ 0,238
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,295
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
25
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA, 280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-963
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω, 10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.4mm
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.