Dual N-Channel MOSFET, 540 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 onsemi NTZD3154NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Maximum Gate Source Voltage
±7 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.6mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,09
1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,112
1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
€ 0,09
1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,112
1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Maximum Gate Source Voltage
±7 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.6mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.