N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C434NT4G

RS tilauskoodi: 141-3991Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NVD5C434NT4G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

163 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

80.6 nC @ 10 V

Height

2.38mm

Series

NVD5C434N

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,45

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,278

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C434NT4G
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,45

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,278

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 163 A, 40 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C434NT4G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

163 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

117 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

80.6 nC @ 10 V

Height

2.38mm

Series

NVD5C434N

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja