P-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS5A160PLZWFT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,35
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,914
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
€ 2,35
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,914
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 1500 - 6000 | € 2,35 | € 3 525,00 |
| 7500+ | € 2,30 | € 3 450,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Width
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
1.05mm
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.