N-Channel MOSFET, 224 A, 60 V, 8-Pin DFN8 5 x 6 ON Semiconductor NVMFSC1D6N06CL
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
224 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
5.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
91 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,80
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4,712
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 3,80
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4,712
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
224 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Length
5.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
91 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.