onsemi NXH100B120H3Q0STGOS Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
186 W
Package Type
Q0BOOST
Configuration
Dual
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
22
Transistor Configuration
Dual
Dimensions
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
32.8mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 96,00
kpl (ilman ALV)
€ 119,04
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 96,00
kpl (ilman ALV)
€ 119,04
kpl (Sis ALV:n)
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
186 W
Package Type
Q0BOOST
Configuration
Dual
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
22
Transistor Configuration
Dual
Dimensions
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
32.8mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.