P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Height
4.5mm
Alkuperämaa
Korea, Republic Of
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 4,20
1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5,208
1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
€ 4,20
1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5,208
1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | € 4,20 | € 3 360,00 |
| 4000+ | € 4,10 | € 3 280,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Height
4.5mm
Alkuperämaa
Korea, Republic Of
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.