Dual N/P-Channel MOSFET, 2.5 A, 3 A, 60 V, 8-Pin SOT-28FL, VEC8 onsemi VEC2616-TL-W
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A, 3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-28FL, VEC8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
116 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Width
2.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
0.73mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,656
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,813
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 0,656
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,813
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,656 | € 6,56 |
| 50 - 190 | € 0,641 | € 6,41 |
| 200 - 490 | € 0,623 | € 6,23 |
| 500+ | € 0,608 | € 6,08 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A, 3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-28FL, VEC8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
116 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Width
2.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
0.73mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.