N-Channel MOSFET, 10 A, 33 V, 8-Pin WMini8-F1 Panasonic FK8V03050L
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
33 V
Package Type
WMini8-F1
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Width
2.4mm
Transistor Material
Si
Series
FK
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.83mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,814
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,009
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 0,814
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,009
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,814 | € 8,14 |
| 50 - 90 | € 0,653 | € 6,53 |
| 100 - 240 | € 0,508 | € 5,08 |
| 250 - 490 | € 0,495 | € 4,95 |
| 500+ | € 0,481 | € 4,81 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
33 V
Package Type
WMini8-F1
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Width
2.4mm
Transistor Material
Si
Series
FK
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.83mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.