P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin Smini3-G1-B Panasonic MTM231232LBF

RS tilauskoodi: 169-8020Tuotemerkki: PanasonicValmistajan osanumero.: MTM231232LBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Panasonic

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

Smini3-G1-B

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2mm

Width

1.25mm

Number of Elements per Chip

1

Height

0.8mm

Series

MTM

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,184

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,228

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin Smini3-G1-B Panasonic MTM231232LBF

€ 0,184

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,228

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 3 A, 20 V, 3-Pin Smini3-G1-B Panasonic MTM231232LBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Panasonic

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

Smini3-G1-B

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2mm

Width

1.25mm

Number of Elements per Chip

1

Height

0.8mm

Series

MTM

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja