N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SMini3-G1-B Panasonic MTM232270LBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
Smini3-G1-B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Number of Elements per Chip
1
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Series
MTM
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,354
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,439
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
20
€ 0,354
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,439
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
20
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,354 | € 7,08 |
| 100 - 180 | € 0,25 | € 5,00 |
| 200 - 480 | € 0,244 | € 4,88 |
| 500 - 980 | € 0,238 | € 4,76 |
| 1000+ | € 0,233 | € 4,66 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
Smini3-G1-B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Number of Elements per Chip
1
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Series
MTM
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.