Renesas Electronics RJP4010AGE-01#P5 IGBT, 150 (Pulse) A 400 V, 8-Pin TSOJ, Surface Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Renesas ElectronicsMaximum Continuous Collector Current
150 (Pulse) A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Package Type
TSOJ
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
8
Transistor Configuration
Single
Dimensions
3.1 x 2.5 x 1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Gate Capacitance
5100pF
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,35
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
4
€ 1,35
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,674
1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
4
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 4 - 36 | € 1,35 | € 5,40 |
| 40 - 76 | € 1,10 | € 4,40 |
| 80 - 196 | € 1,00 | € 4,00 |
| 200 - 396 | € 0,96 | € 3,84 |
| 400+ | € 0,938 | € 3,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Renesas ElectronicsMaximum Continuous Collector Current
150 (Pulse) A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Package Type
TSOJ
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
8
Transistor Configuration
Single
Dimensions
3.1 x 2.5 x 1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Gate Capacitance
5100pF
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.