ROHM 2SC3837KT146N/P NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin SOT-346
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
20 V
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
3 V
Maximum Operating Frequency
1500 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
2.9 x 1.6 x 1.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 4,08
€ 0,163 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,12
€ 0,205 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
€ 4,08
€ 0,163 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 5,12
€ 0,205 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,163 | € 4,08 |
| 100 - 375 | € 0,116 | € 2,90 |
| 400 - 975 | € 0,112 | € 2,80 |
| 1000 - 1975 | € 0,11 | € 2,75 |
| 2000+ | € 0,108 | € 2,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
20 V
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
3 V
Maximum Operating Frequency
1500 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
2.9 x 1.6 x 1.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.