Dual N/P-Channel MOSFET, 18 A, 15 A, 30 V, 8-Pin HSOP8 ROHM HP8MA2TB1

RS tilauskoodi: 178-5964Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: HP8MA2TB1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

18 A, 15 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HP8MA2

Package Type

HSOP8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V

Minimum Gate Threshold Voltage

1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V

Maximum Power Dissipation

7 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V, ±20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V (N Channel), 25 nC @ 10 V (P Channel)

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,45

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,798

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N/P-Channel MOSFET, 18 A, 15 A, 30 V, 8-Pin HSOP8 ROHM HP8MA2TB1

€ 1,45

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,798

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N/P-Channel MOSFET, 18 A, 15 A, 30 V, 8-Pin HSOP8 ROHM HP8MA2TB1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 1,45€ 14,50
50 - 90€ 1,25€ 12,50
100 - 240€ 0,901€ 9,01
250 - 990€ 0,877€ 8,77
1000+€ 0,855€ 8,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

18 A, 15 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HP8MA2

Package Type

HSOP8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V

Minimum Gate Threshold Voltage

1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V

Maximum Power Dissipation

7 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V, ±20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V (N Channel), 25 nC @ 10 V (P Channel)

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja