Dual N-Channel MOSFET, 27 A, 80 A, 30 V, 8-Pin HSOP8 ROHM HP8S36TB

RS tilauskoodi: 178-5992Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: HP8S36TB
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

27 A, 80 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HP8S36

Package Type

HSOP8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

13.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

22 W, 29 W

Maximum Gate Source Voltage

±128 V, ±20 V

Width

5.8mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.8 nC @ 4.5 V (N Channel), 47 nC @ 4.5 V (N Channel)

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,581

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,72

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 27 A, 80 A, 30 V, 8-Pin HSOP8 ROHM HP8S36TB

€ 0,581

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,72

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 27 A, 80 A, 30 V, 8-Pin HSOP8 ROHM HP8S36TB
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,581€ 5,81
50 - 90€ 0,523€ 5,23
100 - 240€ 0,476€ 4,76
250 - 990€ 0,437€ 4,37
1000+€ 0,403€ 4,03

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

27 A, 80 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HP8S36

Package Type

HSOP8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

13.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

22 W, 29 W

Maximum Gate Source Voltage

±128 V, ±20 V

Width

5.8mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.8 nC @ 4.5 V (N Channel), 47 nC @ 4.5 V (N Channel)

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja