P-Channel MOSFET, 1 A, 30 V, 6-Pin TSMT ROHM QS6U24TR
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
QS6U24
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 5 V (N Channel)
Height
0.95mm
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,51
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,632
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
€ 0,51
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,632
1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
25
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,51 | € 12,75 |
| 50 - 75 | € 0,467 | € 11,68 |
| 100 - 225 | € 0,455 | € 11,38 |
| 250 - 975 | € 0,442 | € 11,05 |
| 1000+ | € 0,432 | € 10,80 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
QS6U24
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 5 V (N Channel)
Height
0.95mm
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.