Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM QS8J4TR

RS tilauskoodi: 178-5996Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: QS8J4TR
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TSMT-8

Series

QS8J4

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

84 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 10 V (N Channel)

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.8mm

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,442

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,548

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM QS8J4TR

€ 0,442

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,548

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM QS8J4TR
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,442€ 4,42
50 - 90€ 0,397€ 3,97
100 - 240€ 0,363€ 3,63
250 - 990€ 0,33€ 3,30
1000+€ 0,306€ 3,06

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TSMT-8

Series

QS8J4

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

84 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 10 V (N Channel)

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.8mm

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja