ROHM P-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 RE1C001ZPTL
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RE1C001ZP
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.9mm
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.7mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,88
€ 0,063 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,89
€ 0,079 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
125
€ 7,88
€ 0,063 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,89
€ 0,079 1 kpl (125 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
125
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 125 - 500 | € 0,063 | € 7,88 |
| 625 - 1125 | € 0,062 | € 7,75 |
| 1250 - 3000 | € 0,059 | € 7,38 |
| 3125 - 6125 | € 0,058 | € 7,25 |
| 6250+ | € 0,056 | € 7,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RE1C001ZP
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.9mm
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.7mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.