ROHM RGS00TS65HRC11 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole

RS tilauskoodi: 186-4264Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: RGS00TS65HRC11
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

326 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247N

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16 x 5 x 21mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

1568pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,10

1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6,324

1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)

ROHM RGS00TS65HRC11 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole

€ 5,10

1 kpl (450 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 6,324

1 kpl (450 kpl/putki) (Sis ALV:n)

ROHM RGS00TS65HRC11 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

326 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247N

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16 x 5 x 21mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

1568pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja