ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

RS tilauskoodi: 171-5593Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: RGT30NS65DGC9
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

133 W

Package Type

TO-262

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3+Tab

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.1 x 4.5 x 9mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

780pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,85

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,534

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

€ 2,85

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,534

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 2,85€ 14,25
50 - 95€ 2,60€ 13,00
100 - 245€ 2,35€ 11,75
250 - 495€ 2,15€ 10,75
500+€ 2,00€ 10,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

133 W

Package Type

TO-262

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pin Count

3+Tab

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.1 x 4.5 x 9mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Gate Capacitance

780pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja