P-Channel MOSFET, 7 A, 12 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM RQ1A070APTR

RS tilauskoodi: 177-6781Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: RQ1A070APTR
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

TSMT-8

Series

RQ1A070AP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

0 to -8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

80 nC @ 4.5 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.8mm

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,333

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,413

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 7 A, 12 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM RQ1A070APTR

€ 0,333

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,413

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 7 A, 12 V, 8-Pin TSMT-8 ROHM RQ1A070APTR
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

TSMT-8

Series

RQ1A070AP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

0 to -8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

80 nC @ 4.5 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

0.8mm

Alkuperämaa

Japan

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja