N-Channel MOSFET, 5 A, 20 V, 6-Pin TSMT-6 ROHM RQ6C050UNTR

RS tilauskoodi: 177-6585Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: RQ6C050UNTR
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

RQ6C050UN

Package Type

TSMT-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

30 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Width

1.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Height

0.95mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,445

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,552

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5 A, 20 V, 6-Pin TSMT-6 ROHM RQ6C050UNTR

€ 0,445

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,552

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 5 A, 20 V, 6-Pin TSMT-6 ROHM RQ6C050UNTR
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Series

RQ6C050UN

Package Type

TSMT-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

30 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±10 V

Width

1.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Height

0.95mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Thailand

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja