ROHM RRH140P03 P-Channel MOSFET, 14 A, 30 V, 8-Pin SOP RRH140P03GZETB
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
RRH140P03
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-1 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.05mm
Length
5.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V, 9.2 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.6mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 18,50
€ 1,85 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,22
€ 2,322 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 18,50
€ 1,85 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,22
€ 2,322 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 240 | € 1,85 | € 18,50 |
| 250 - 740 | € 1,65 | € 16,50 |
| 750 - 1190 | € 1,50 | € 15,00 |
| 1200 - 1990 | € 1,25 | € 12,50 |
| 2000+ | € 1,25 | € 12,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
RRH140P03
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-1 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.05mm
Length
5.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V, 9.2 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.6mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.