ROHM RSJ250P10 P-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin D2PAK RSJ250P10TL

RS tilauskoodi: 124-6823Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: RSJ250P10TL
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

RSJ250P10

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

50 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.5mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Korea, Republic Of

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 10,75

€ 2,15 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 13,49

€ 2,698 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

ROHM RSJ250P10 P-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin D2PAK RSJ250P10TL
Valitse pakkaustyyppi

€ 10,75

€ 2,15 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 13,49

€ 2,698 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

ROHM RSJ250P10 P-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin D2PAK RSJ250P10TL
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 2,15€ 10,75
25 - 45€ 1,75€ 8,75
50 - 120€ 1,65€ 8,25
125 - 245€ 1,55€ 7,75
250+€ 1,40€ 7,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

RSJ250P10

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

50 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.5mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Korea, Republic Of

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja