P-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SC-85 ROHM RU1C001ZPTL
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RU1C001ZP
Package Type
SC-85
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
10 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,066
1 kpl (200 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,082
1 kpl (200 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
200
€ 0,066
1 kpl (200 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,082
1 kpl (200 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
200
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,066 | € 13,20 |
| 400 - 400 | € 0,059 | € 11,80 |
| 600 - 800 | € 0,054 | € 10,80 |
| 1000 - 1800 | € 0,049 | € 9,80 |
| 2000+ | € 0,045 | € 9,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
RU1C001ZP
Package Type
SC-85
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
10 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.