ROHM SCT2H12NZ N-Channel MOSFET, 3.7 A, 1700 V, 3-Pin TO-3PFM SCT2H12NZGC11
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-3PFM
Series
SCT2H12NZ
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Forward Diode Voltage
4.3V
Height
21mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 68,00
€ 6,80 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 85,34
€ 8,534 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
€ 68,00
€ 6,80 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 85,34
€ 8,534 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Putki)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-3PFM
Series
SCT2H12NZ
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Forward Diode Voltage
4.3V
Height
21mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.