SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V, 3-Pin TO-247N ROHM SCT3040KLGC11
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247N
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
22 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
SiC
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
107 nC @ 18 V
Height
21mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 48,50
kpl (ilman ALV)
€ 60,87
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 48,50
kpl (ilman ALV)
€ 60,87
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 48,50 |
| 5 - 9 | € 42,50 |
| 10 - 24 | € 41,40 |
| 25+ | € 40,40 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247N
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
22 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
SiC
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
107 nC @ 18 V
Height
21mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.